Hvordan producerer man siliciumcarbid med høj renhed?

Ved fremstilling af siliciumcarbid er den traditionelle metode at blande silica med koks og opvarme det i en impedansovn; Eller silicapulveret og kulstoffet blandes i et forhold på mere end 1 til 3 til granulering og opvarmes i en kontinuerlig ovn; Siliciumcarbidet fremstillet ved disse to metoder indeholder normalt visse urenheder, som direkte påvirker påføringseffekten af ​​siliciumcarbid. Sådanne problemer vil imidlertid ikke opstå ved anvendelsen af ​​siliciumcarbid med høj renhed.

For at producere højrent siliciumcarbid er det nødvendigt først at blande silicapulver og kulstofpulver til granulering, derefter blande granuleringen med granuleret kulstofmateriale, opvarme det i en ikke-oxiderende atmosfære over 1600 grader, så det meste af siliciumet dioxid i granuleringen reagerer med kulstof for at danne gasformigt siliciumoxid. Det gasformige siliciumoxid reagerer yderligere med det granulære kulstofmateriale for at generere siliciumcarbid, og urenhederne forbliver i den oprindelige granulering, efter at urenhederne er fjernet, fremstilles siliciumcarbid med høj renhed. Siliciumcarbid med høj renhed kan bruges som råmateriale til sintring, syntetisk harpiksfyldstof og belægningsmateriale til let sliddele af metalapparater. Det er et meget lovende materiale på markedet.