Hjem - Produkter - Silicium metal - Detaljer
Høj termisk ledningsevne siliciummetal 553
video
Høj termisk ledningsevne siliciummetal 553

Høj termisk ledningsevne siliciummetal 553

Siliciummetal krystalstruktur med høj symmetri og kovalent binding; Dens elektroniske struktur har et stort energigab; Dens gittervibrationer er meget hurtige; Det kan dopes for at forbedre den termiske ledningsevne. Disse egenskaber gør siliciummetal til et meget vigtigt materiale.

Beskrivelse

 

Beskrivelse

 

Ifølge kvantemekanikken kan elektronernes opførsel i krystaller beskrives ved båndteori. I siliciummetal er der et meget stort energigab, som gør, at elektroner ikke kan springe fra valensbåndet til ledningsbåndet.

Dette mellemrum gør siliciummetal meget ringe i ledningsevne, men også meget høj i termisk ledningsevne. For i varmeledning overføres energi gennem vibrationer mellem atomer, ikke elektroner.
Denne struktur giver siliciumkrystaller meget høj varmeledningsevne, fordi kovalente bindinger kan overføre varmeenergi.

Derudover har silicium en høj grad af symmetri i sin krystalstruktur, hvilket også er med til at forbedre dets varmeledningsevne.

Specifikation

 

karakter Kemisk sammensætning procent
Si-indhold (procent) Urenheder (procent)

Fe

Al

Ca

Siliciummetal 2202

99.58

0.2

0.2

0.02

Siliciummetal 3303

99.37

0.3

0.3

0.03

Siliciummetal 411

99.4

0.4

0.4

0.1

Siliciummetal 421

99.3

0.4

0.2

0.1

Siliciummetal 553

98.7

0.5

0.5

0.3

Anden kemisk sammensætning og størrelse kan leveres efter ønske.

 

 

 

 

High Thermal Conductivity Silicon Metal 553

High Thermal Conductivity Silicon Metal 553

High Thermal Conductivity Silicon Metal 553

 

 

I en krystal vibrerer atomer altid. Disse vibrationer kan opfattes som lydbølger. I tilfælde af siliciummetal er vibrationen meget hurtig, fordi bindingerne mellem siliciumatomer er så tætte.

Denne hurtige vibration gør det muligt at overføre varmeenergi meget hurtigt gennem krystallen, hvilket øger den termiske ledningsevne af siliciummetal.
Dopingmateriale henviser til tilsætning af en lille mængde urenheder til materialet. I siliciummetal kan doping forbedre dets varmeledningsevne betydeligt.

Dette skyldes, at dopingelementer kan ændre egenskaberne ved gittervibrationer, hvilket gør det lettere at overføre varmeenergi.
Kort sagt er der fire hovedårsager til siliciummetals høje termiske ledningsevne: dets krystalstruktur har en høj grad af symmetri og kovalent binding; Dens elektroniske struktur har et stort energigab; Dens gittervibrationer er meget hurtige; Det kan dopes for at forbedre den termiske ledningsevne. Disse egenskaber gør, at siliciummetal bliver et meget vigtigt materiale, der er meget udbredt inden for elektroniske, fotoelektriske, halvledere og andre områder.

FAQ

Q: Er du handelsvirksomhed eller producent?
A: Vi er producent, den er beliggende i Anyang, Henan-provinsen, Kina. Alle vores kunder fra ind- eller udland. Ser frem til dit besøg.

 

Q: Accepterer du OEM?
A: Ja, vi accepterer OEM. Dette er vores speciale.

 

Q: Hvad er dine fordele?
A: Vi har vores egne fabrikker, dejlige medarbejdere og professionelle produktions- og forarbejdnings- og salgsteam. Kvalitet kan garanteres. Vi har rig erfaring inden for metallurgisk stålfremstilling.

Q: Kan prisen forhandles?
A: Ja, du er velkommen til at kontakte os når som helst, hvis du har spørgsmål. Og for kunder, der ønsker at udvide markedet, vil vi gøre vores bedste for at støtte.

Q: Kan du levere gratis prøver?
A: Ja, vi kan levere gratis prøver inden for 2 kg.

 

Q: Hvad er betalingsbetingelserne?
A: Normalt T/T, men L/C er tilgængelige for os.

 

 

 

Populære tags: høj termisk ledningsevne siliciummetal 553

Du kan også lide

Indkøbstasker